一、砷化镓行业概况砷化镓是一种重要的半导体材料。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。第三代半导体主要是以碳化硅（SiC）...

来源：钜亨网半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 (Si)、锗 (Ge) 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为主。第三代半导体原料具有较大...

几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。其他的则使用铟和磷。问题是，化合物半导体更难制造...

氮化镓和砷化镓的区别 砷化镓 砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。 砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点12...

来源：内容由半导体行业观察近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“***半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要...

一、下游应用驱动，GaAs、GaN 和 SiC 各领** 1.化合物半导体具有物理特性优势化合物半导体物理特性具有独特优势。半导体材料领域共经历三个发展阶段：第一阶段是以硅、锗为代表的 IV 族半导体；第二阶段是以 GaAs 和 InP 为 代表的 III-V 族化合物半导体，其中 GaAs 技术发...

何为SiC？文/每日财报 刘雨辰我国将第三代半导体产业写入“十四五”规划之中，计划在2021到2025年的五年之内，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持，以期实现产业**自主，不再受制于人。第一代半导体主要有硅和锗，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功...

　　光智科技公布2022年年度报告，报告期营业收入9.36亿元，同比增长29.24%；归属于上市公司股东的净利润为-1.14亿元，同比盈转亏；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-1.29亿元；基本每股收益为-0.8368元。为此根据相关数据，整理出以下信息。砷化镓概念股涨幅排行榜　　以下...

砷化镓，不尴不尬？按照业界约定俗成的“断代法”，半导体材料分为第一代、第二代和第三代半导体材料。第一代半导体材料，以硅（Si）为代表，已经拥有了广泛的产业群众基础，形成了庞大市场规模，摩尔定律驱动下的纳米级工艺升级，12 寸、18 寸及越来越大的大硅片，也是同样万众瞩目；第三代半导体材料，以氮化镓（...