基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结构和工艺优化和更新，正在逐渐接近硅材料的极限，Si 基器件在 600V 以上高电压以及高功率场合达到其性能的极限。为了提升在高压／高功率下器件的性能，第三代半导体材料 SiC（宽禁带）应运而生。碳化硅作为目前半导体产业最热门的赛道之一，吸引了众多半导体大...