存储芯片**触底反弹 | 见智研究
在经历了漫长的行业下行周期之后，存储芯片的**终于迎来曙光。
从2022年开始，存储芯片行业进入高库存、低需求状态，**快速下跌。
早在2022年三季度，见智研究曾预判本轮存储芯片的下行周期要好于2018年下行周期，可参见此前文章《旺季不旺，但这次存储芯片下行周期更短 》
此前市场共识是：服务器成为扭转本轮周期供需拐点的关键。
而现在变量又增加了智能手机的需求回暖。
智能手机成为存储芯片需求增长的又一驱动因素
摩根士丹利最新报告中指出，NAND**已触底。
群联目前已看到来自**的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的**上涨。
野村证券也发布了存储芯片涨价的预期：
第三季主要存储芯片**已趋稳定或上升，**较高的HBM、DDR5和LPDDR5X组合增加，使存储芯片平均单价有望上涨5%-10%。
另据Digitime报道称：
国内NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单，将配合原厂（三星）报价调高8%-10%。
预计此举将有望拉动NAND Flash**逐步回升到制造成本线。
原本市场普遍预计23H2存储芯片行业将重新回到供需平衡点。
但当下，受益于智能手机需求回暖的**因素，导致上游供应链有需求复苏加快的迹象出现。
目前存储芯片客户对提价接受度较高。预计最快本月开始，部分存储芯片厂商将开始涨价，将覆盖此前跌幅较大的NAND和DRAM，智能手机应用更多的闪存NAND。
H100 AI处理器明年产能扩增3倍，HBM需求超预期
HBM受AI服务器需求的持续放量，**依旧有强劲增长动力。
HBM（High Bandwidth Memory） 是一款新型内存芯片，本质上是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。
HBM以其高吞吐高带宽的优势，在DRAM的整体颓势之中，**逆势增长，A100计算卡配备的是80GB的HBM2e显存，而新一代的Ada计算卡更是配备了HBM3显存。
受AI芯片需求的增长，英伟达年内加大三星和海力士的HBM订单。
英伟达GH200单颗芯片需要480GB LPDDR5内存+96GB的HBM显存。而上一代DGX H100服务器中，平均单颗H100芯片对应256GB内存，以及80GB的HBM。
根据此前TrendForce的预测：
2023年HBM需求量同比增长58％，2024年有望再增长约30％。
8月底，英伟达计划将H100 AI处理器产能拉高至少三倍，预测明年的出货量将介于150~200万颗，远多于今年的50万颗。
意味着HBM明年需求增速很可能要超预期。
另外值得关注的是：存储厂商群联已进入英伟达AI服务器供应链，其Re-timer产品采用PCI-E GEN 5规格，每颗报价20-30美元，预计明年上半年将正式获得采用。
见智研究依旧保持此前观点，认为本轮存储芯片的下行周期比上一轮更短。存储芯片**企稳反弹加上备货旺季到来，市场备货需求回暖，整体出货节奏加快。
预计存储芯片23H2重新迎来供需拐点，24年DRAM供不应求。
复盘本轮周期，三星、美光等大厂今年巨亏之下坚定通过降低资本开支、减产调节库存、控制市场过剩的供应总量。
随着下游需求企稳，特别是Q3-Q4，以智能手机为代表的消费电子，进入新品发布高峰期、叠加促销活动开启，需求有望进一步回暖。
厂商备货将提前在上游存储芯片供应链中有所表现。
本文来自华尔街见闻，欢迎下载APP查看更多
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