解读光刻机困局之2022（三）：目前国内光刻研究的整体进度评估
编者按：前文概述了长**机所的六镜头EUV光刻光学研究相关内容；在继续梳理和分析我国极紫外光刻机光学**、光源等技术进展和存在的困难之前，我在本文里补充一下国内光刻研究的整体进度，并且阐明我的撰写逻辑。以便更多的读者可以从更**、更全面的角度去了解我在这个系列撰文里所提出的观点及论述。
光刻机运动台控制
上海光机所的《激光与光电子学进展》
众所周知，上海光机所是我国先进激光技术的顶尖研究单位之一，我曾经在前文详细介绍过上海光机所的极紫外光刻光源相关研究工作。
上海光机所主办一个国内核心期刊《激光与光电子学进展》，其中基本涵盖我国激光、光学的主要进展和成果介绍。
《激光与光电子学进展》在2022年5月10日出版了专题《光刻技术》，几乎涵盖了我国光刻研究的全面资料。这期的封面便是DUV光学曝光**的示意图。
2022年5月《光刻技术》专刊封面
《光刻技术》专刊
这期专刊一共发表30篇特邀综述文章，涵盖了包括EUV光源、计算光刻、照明**、投影物镜检测、光刻胶、浸液**、准分子激光、光刻机运动控制台等光刻机研究的方方面面。例如，撰写准分子激光文章的便是北京科益虹源的总经理江锐博士。
《光刻技术》专刊目录
在这些**中，不仅详细介绍了国外光刻技术的发展历史，还详细包含了我国过去二十年的几乎所有重要的进展，我将以极紫外光源和极紫外光刻机的研究进展稍作诠释。
极紫外光刻光源**：上海光机所和上海大学微电子学院合著
极紫外光刻光源
光机所和上海大学微电子学院合著《极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势》一文，其中不仅详细介绍了ASML和日本Gigaphoton的EUV光源进度，还介绍了上海光机所2021年前后的EUV光源的液锡**的几篇专利。这些专利也在我的前文中做过详细介绍，这里就不赘述了。
《光刻技术》刊登的极紫外光源综述**
这篇**也介绍了长**机所的最新EUV反射镜及镀膜相关工作，最新的工作包括2020年的两篇**。我此前介绍过长**机所进口的德国EUV反射镜镀膜机，也是来自这一系列工作。
因此，关于极紫外光刻机光源部分的国内研究，基本上已经覆盖在我去年撰写的《我国光刻机困局》系列之中。而我近期的撰文又补充了近一年的新的进展。我认为我的分析基本可以反映了目前国内研究的整体状况。
《极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势》**中引用的长**机所极紫外多层膜研究工作
极紫外光刻胶研究进展
极紫外光刻胶
《极紫外（EUV）光刻胶的研发》一文的作者杨国强教授和李嫕教授，分别在我国科学院光化学重点实验室和我国科学院理化技术研究所带领团队开展极紫外光刻胶开发。因此这篇**不仅涵盖了光刻胶开发历史，而且介绍了两位教授团队的最新成果和专利。我们注意到几篇光刻胶专利都是2021年刚刚发表的。
因此，很显然，这些资料已经充分地披露了最新的光刻机研究项目的进展，以这些资料作为背景做我国的光刻机困局的分析，是充分的、也是有时效性的。
我国光刻机困局研究三要素
我国光刻机困局的分析，基于以下三个要素：
1，首先整理技术发展的真实资料，它包括中外**、会议、报告、专利、新闻资讯等。简单翻阅这些2022年5月最新的中文资料，也可以验证前文论述中所涉及到的资料范围的准确性、及时性、全面性。
2，除了类似的综述**所需资料外，会包含研究人员和研究团队的分析，研究人员的背景、研究团队的组成、稳定性，以及他们的技术能力，是分析、预测项目推进的重要组成信息；
介绍俄罗斯的LPP EUV光源研究员康斯坦丁·N·科舍列夫
3，在研究人的因素之上，进行详细的工业基础、技术背景调查，以此了解每一项组件所依赖的外部条件，如软硬件、材料、资源、资金等，以此判断实现每一个环节大概所需要的时间，并整体综合判断项目进度。例如，我在此前多次介绍美国极紫外光学制造商Zygo的技术背景。
美国极紫外光学制造商Zygo介绍
通常这些三要素的分析，是分散在我不同的帖子里。比如我在2021年7月前后撰写多篇短文介绍这套进口德国的极紫外反射镜镀膜机。
长**机所进口德国的镀膜设备NESSY1900
我国光刻机困局研究的基本方法
技术分析是动态的，大致上建立一个随时间演变的基本的发展速度的模型，以过去二十年、三十年的基本背景作为参数，去评估、校正各种因素在其中的**，以此去预测未来的发展曲线。
技术发展曲线的讨论分为创新行为和**行为，正如我前文所述，它们依赖于完全不同的人才、软硬件条件、资源等。
光刻机困局调查中涉及的时间动态分析图：光刻工艺的演变
因此，我整理了大量各种变量的时间演变曲线，并且标注其中的关键节点，对于重要的关键节点，做详细的人、物、力的调查，并以此来评估、矫正对技术发展趋势的判断。
光刻机困局调查中涉及的时间动态分析图：**复杂度的演变
结语
我们之前讨论过ASML的几百家核心供应商。当然，我们在我国的光刻机困局的讨论仅限于核心部件。在这个环节，我将尝试在EUV镜头制造、光学**制造、光源制造等环节挖掘其瓶颈部分。
只有涉及到根本层面时，我们才了解真正打破垄断所需要的软硬件条件，以及**我国开发光刻机的关键环节。而这不是一件很容易的事情，例如，30年前我国开始制造自己的扫描探针显微**（它正是在中科院下孵化的技术）；但是至今，我国每年仍需大量进口**不菲的扫描探针显微**。
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