摘要：**中央、印发《国家水网建设规划纲要》。中美***长将会面。***：对美光公司审查是维护****的必要措施。南京调整住房公积金政策，加大对多子女家庭住房公积金购房租房支持力度。海关总署：《区域全面经济伙伴关系协定》6月2日起对菲律宾生效实施。工信部等九部门印发《质量标准品牌赋值中小企业专...

我国计划把大力支持发展，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业**自主。什么是第三代半导体？第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、...

几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。其他的则使用铟和磷。问题是，化合物半导体更难制造...

氮化镓和砷化镓的区别 砷化镓 砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。 砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点12...

1988年，日本在全球芯片生产中的份额超过50%，但如今已降至10%左右。所以，日本一直在为振兴半导体产业而努力。随着全球芯片制造商将重点从硅片转移到SiC晶圆片上，日本各大功率半导体企业纷纷在SiC领域大幅扩产，日本的半导体行业正寄希望于SiC作为日本电子行业的救星的潜力。而另一大功率半导体氧化...

来源：内容由半导体行业观察近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“***半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要...

一、下游应用驱动，GaAs、GaN 和 SiC 各领** 1.化合物半导体具有物理特性优势化合物半导体物理特性具有独特优势。半导体材料领域共经历三个发展阶段：第一阶段是以硅、锗为代表的 IV 族半导体；第二阶段是以 GaAs 和 InP 为 代表的 III-V 族化合物半导体，其中 GaAs 技术发...

何为SiC？文/每日财报 刘雨辰我国将第三代半导体产业写入“十四五”规划之中，计划在2021到2025年的五年之内，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持，以期实现产业**自主，不再受制于人。第一代半导体主要有硅和锗，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功...

来源：内容来自半导体行业观察综合，谢谢。近年来，因为5G的流行，砷化镓的受重视程度越来越高，国内也有不少企业对这个市场虎视眈眈，日前， 云南锗业董事长、总经理包文东表示，公司已有砷化镓晶片生产线，可在现有生产线基础上进行工艺升级、调整生产大直径产品；磷化铟项目主要是扩大产能的同时增加大直径产品产能。...