IGBT详解
在介绍IGBT之前，总有几个参数需要了解一下。
第一个是击穿电压，就是管子在截止状态下集电极与发射极之间的最大电压UCEX。
再一个是饱和电压UCES，就是导通状态下集电极与发射极之间的电压。
还有一个比较重要，是栅极电压UGE，是栅极与发射极之间施加的电压。当IGBT饱和导通时，UGE为12～20V，一正脉冲，当IGBT截止时，UGE为-15～-5V，为一负脉冲，但这里需要注意一下，栅极电压UGE过高或过低都是不利的，15V属于理想状态。
以上是三个电压，还有两个电流，一个是漏电流ICEO，在截止状态下的集电极电流，再就是它的额定电流ICM，在饱和导通下的持续最大工作电流。这个会出现在变频器铭牌上，作为变频器功率核算的依据。
在正常工作时，IGBT是动态的，受外电路的控制，不断的开断。
人们对动态的事物往往比较感兴趣，就像从不满足照片一样，并成功发明了电影。
那么，IGBT的动态有什么规律吗？其实，逆变桥上下两个管子是交替导通的，也就是说，上面的管子导通，下面的管子必然要截止，反之亦然，不然的话，就要“直通”了！我想，这就是它的动态规律。
这个动态过程，要实现起来，还是比较难的，对时间的要求特别严格。这里的时间就是开通时间与关断时间。
当来一个正脉冲，IGBT不会立马导通，中间会有一定的延迟，同样，当来了一个负脉冲，管子也不会立马关断，也需要一定的延迟。
IGBT的导通与开断取决于外电路对它的控制，说白了，它真的是身不由己。既然是控制，就会有控制能力上的强弱，若控制的强，栅极电压脉冲稳定，那么导通与关断是它分内的事，若控制的弱，栅极电压脉冲不稳定，就会有功率过高，发热量大，或直接短路的炸机风险。而对它起控制作用的，正是IGBT的驱动电路。
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