在介绍IGBT之前，总有几个参数需要了解一下。第一个是击穿电压，就是管子在截止状态下集电极与发射极之间的最大电压UCEX。再一个是饱和电压UCES，就是导通状态下集电极与发射极之间的电压。还有一个比较重要，是栅极电压UGE，是栅极与发射极之间施加的电压。当IGBT饱和导通时，UGE为12～20V，一...

电解电容极性判断：有三种识别方式如下图1、图2所示，图1 电解电容极性判断方法1 and 方法2图2 电解电容极性判断方法3贴片铝电解电容极性判断：识别如图3所示，图3 贴片铝电解电容极性判断示意图钽电容极性判断：钽电容如下图所示，特别注意：钽电容的极性判断很特殊，如图4所示，带一个小横杠的一端为正...

内容转载自小杨同学爱学习滤波的作用就是使有用的信号通过，使无用的信号不通过，可以说是最基本，也是最重要的电路之一了。按照通过或者衰减的信号频率范围，可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器；按照滤波器的阶数可以分为一阶滤波器、二阶滤波器和高阶滤波器；按照是否含有源器件，又可以分为有源滤...

为了获得稳定的直流电压，需要对交流电压进行整流。所谓整流就是将交流电变成直流电。能进行整流的器件是二极管，这是因为二极管具有单向导电性，天生可以规定电流的方向。当用一个二极管与阻抗串联时，可以使得负载电阻在半个周期内导通，另半个周期截止，从而使负载电阻获得半个周期的电压。此种整流方式称为**整流。半...

MOS管、三极管、IGBT之间的关系PN结：从PN结说起PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：1、P型和N型半导体： 本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有 “空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P（positive）型；同理，掺杂五价...

该内容转载自耿博士电力电子技术今天聊一下逆导型IGBT（reverse conducting IGBT，RC-IGBT），很久以前就知道这个器件，但是感觉应用很少，所以也没太进一步去了解。最近没事看**发现**近几年已经把RC-IGBT作为重点器件在电动汽车领域进行了推广应用，所以个人感觉有必要花点...