第三代半导体碳化硅（SiC）能否全面替代IGBT
#头条创作挑战赛##第三代半导体##十四五规划和2035远景目标建议##IGBT##这就是我国的大国重器##SiC#
IGBT叫绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOS（MOSFET）管和电力晶体管（GTR）两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
但随着社会的需求，科技的发展第三代半导体SiC逐渐走向历史的舞台。
碳化硅（SiC）由碳（C）原子和硅（Si）原子组成。碳化硅功率模块就是以碳化硅为衬底的功率元器件。由于碳化硅的特性，碳化硅元器件具有耐高温：散热良好，降低****的标准；开关速度快：可以减少电容电感的体积；通态电阻低：减少能量损耗；耐高压：高输出功率，不容易击穿。
因此与IGBT相比，碳化硅器件具有体积小、功率大、频率高、能耗低、损耗小、耐高压等优点。
目前SiC功率模块相较IGBT模块还存在以下问题：1、工艺复杂，成本是IGBT的2—3倍；2、SiC功率高温封装技术发展滞后。3、SiC功率器件的驱动技术尚不成熟，驱动电路要求高。
SiC对于提高工作效率，降低能量损耗，减少碳排放，提高**可靠性，缩小体积，节省空间等方**有绝对的优势。因此随着技术的不断进步，SiC运用的会越来越多。例如：各类电源及服务器，光伏逆变器，风电逆变器，新能源汽车的车载充电机、电机驱动**、直流充电桩，变频空调，轨道交通，军工等。
但完全替代IGBT还需要很长的路。现在可以和IGBT形成有效互补的作用。
在目前整个碳化硅市场中，美、日、欧等外商仍占据主导地位。Wolfspeed、英飞凌、罗姆约占据90%的碳化硅市场份额。
根据国家的‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。
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