IGBT—insulated gate bipolar transistor就是“绝缘栅双极晶体管”。是20世纪80年代才发展起来的复合器件。 IGBT综合了MOSFET（MOS管：功率场效应管）高输入阻抗和GTR（双极结型晶体管）低导通压降两方面的优点。目前IGBT的电流和电压已经达到***0A...

#头条创作挑战赛##第三代半导体#​#十四五规划和2035远景目标建议##IGBT#​#这就是我国的大国重器#​#SiC#​ IGBT叫绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOS（MOSFET）管和电力晶体管（GT...