IGBT—insulated gate bipolar transistor就是“绝缘栅双极晶体管”。是20世纪80年代才发展起来的复合器件。 IGBT综合了MOSFET(MOS管:功率场效应管)高输入阻抗和GTR(双极结型晶体管)低导通压降两方面的优点。目前IGBT的电流和电压已经达到***0A...
02月09日
IGBT—insulated gate bipolar transistor就是“绝缘栅双极晶体管”。是20世纪80年代才发展起来的复合器件。 IGBT综合了MOSFET(MOS管:功率场效应管)高输入阻抗和GTR(双极结型晶体管)低导通压降两方面的优点。目前IGBT的电流和电压已经达到***0A...
#头条创作挑战赛##第三代半导体##十四五规划和2035远景目标建议##IGBT##这就是我国的大国重器##SiC# IGBT叫绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOS(MOSFET)管和电力晶体管(GT...