（**未来智库 「链接」获取本报告及更多卓越报告。）目录：一、基站滤波器概述二、基站滤波器行业市场空间三、基站滤波器产业链上下游分析四、基站滤波器行业竞争分析五、推荐标的及风险提示报告摘要：5G时代基站滤波器行业市场弹性大。考虑到5G时期基站对小型化、轻量化、低损耗以及性价比的要求提升，陶瓷 介质滤...

（获取报告请**未来智库www.vzkoo.com）一、以电驱之长补电池之短，功率半导**居关键环节1、使用便捷性是汽车竞争力的根本使用便捷性是绝大多数情况下用户对汽车的接受底线和核心需求，可简明体现为汽车在某工况/工况组合下 运行的行驶时间和充能时间，及对应的行驶路程。行驶路程越长（对应续航能力）...

（报告出品方/作者：国金证券，樊志远、邓小路、刘妍雪）报告综述性能优异，第三代半导体应运而生。第三代半导体材料具有宽的禁带宽度， 高击穿电场、高热导率及高电子饱和速率，因而更适合于制作高温、高频及 大功率器件。2019 年我国 SiC、GaN 电力电子器件应用市场中，消费电源是 第一大应用，占比 2...

（报告出品方/作者：华泰证券，黄乐平）1 碳化硅为第三代半导体材料，引领功率及射频领域革新碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和 漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表，相较于硅材料等前两代...

（报告出品方/作者：德邦证券，陈海进）1.SiC产业链逐步成熟1.1.SiC具有优秀材料特性，适用于高压、高频场景SiC 具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化 合物半导体材料，并和氮化镓（GaN）都具有宽禁带的特性，被称为第三代半导 体材料。由于 SiC 具有宽禁带宽度...

（报告出品方/作者：民生证券，方竞）1 碳化硅：第三代半导体突破性材料1.1 优质的新型半导体衬底材料半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料，其 特点为开关便捷，一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体， 主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、...

总结我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化，4英寸已经实现样品生产。GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化，8英寸正在进行产品研发。 GaN材料应用范围仍LED向射频、功率器件不断扩展。射频器件方面， GaN受到5G推动。GaN射频器件衬底...

（报告出品方/作者：安信证券，马良）1. 第三代半导体，SiC 衬底性能优越1.1. SiC--新一代电力电子核心材料碳化硅属于第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。 第一代半导体主要有硅和锗，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但是难以 满足高功率及高频器件需...

（报告出品方/作者：中信建投证券，刘双锋、雷鸣、孙芳芳）一、全球半导体产业迎来第三波发展浪潮1.1 各类电子产品新旧应用需求推动半导体芯片规模不断扩大半导体芯片在各类终端虽然应用比例不同，但是新旧应用需求共同推动逻辑、存储和 DAO 规模的不断扩大。 根据美国半导体协会（SIA）公布的数据显示，20...

（报告出品方/作者：国信证券，胡剑、胡慧）1 前道半导体设备：半导体制造核心工艺设备半导体制造分为前道工艺（Front End）和后道工艺（Back End），其中前道 工艺指在晶圆上形成器件的工艺过程，也称晶圆制造，后道工艺指将晶圆上的 器件分离，封装的工艺过程。当前半导体产业界 IDM（垂直整合...