（报告出品方/作者：华泰证券，黄乐平）1 碳化硅为第三代半导体材料，引领功率及射频领域革新碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和 漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表，相较于硅材料等前两代...

硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。然而受材料本身特性的**，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同...

（报告出品方/作者：德邦证券，陈海进）1.SiC产业链逐步成熟1.1.SiC具有优秀材料特性，适用于高压、高频场景SiC 具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化 合物半导体材料，并和氮化镓（GaN）都具有宽禁带的特性，被称为第三代半导 体材料。由于 SiC 具有宽禁带宽度...

（报告出品方/分析师：海通证券研究所 余伟民）碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还...

#头条创作挑战赛##第三代半导体#​#十四五规划和2035远景目标建议##IGBT#​#这就是我国的大国重器#​#SiC#​ IGBT叫绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOS（MOSFET）管和电力晶体管（GT...

（报告出品方/作者：民生证券，方竞）1 碳化硅：第三代半导体突破性材料1.1 优质的新型半导体衬底材料半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料，其 特点为开关便捷，一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体， 主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、...

都说买股票买的是预期，其实通常买的是故事。老话说，Buy the rumor, sell the news。也就是，有故事的时候买，消息落地(故事结局)赶紧卖掉。注意，上述谚语中即使故事成真，如果没有新的故事了，股票也不再涨了。和量子计算很像，碳化硅(SiC)的故事也很漂亮：有深度有门槛有前景有震撼...

今天，A股有点惨，关灯吃面、**复盘的小伙伴估计很多很多。各大指数全天震荡下行，午后加速跳水，创业板指大跌3%，沪指失守3300点。市场最大的亮点来自于第三代半导体板块，两市个股跌多涨少，成交额破万亿元。盘面上看，政策利好支撑的第三代半导体板块全天强势，聚灿光电、乾照光电、豫金刚石均涨20%，长方集...

来源：【黑龙江】记者从哈尔滨市科技局获悉，在18日召开的第二届国际第三代半导体产业发展与前景峰会上，哈尔滨公开发布《哈尔滨第三代半导体产业发展蓝皮书》。这既是一本产业研究报告，也是一本投资机会清单，第三代半导体领域企业可在其中寻到科技支撑和产业商机。《蓝皮书》中清晰阐释哈尔滨发力第三代半导体的五...