碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温...

从夜晚睡前插上的手机充电器，再到早上出行搭乘的电动汽车，我们的日常生活，处处都有第三代半导体的影子。今天我们谈到第三代半导体，大家很快就能说出氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）这两个耳熟能详的名字，也正是他们优异的物理性...

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绝缘栅双极型晶体管又叫IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)IGBT一般用通常用“Q，VT”表示原理图常用符号IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复...

数据是个宝数据宝炒股少烦恼IGBT被曝缺货，头部厂商上调**！下游两大行业大爆发，券商上调景气值。功率半导体又爆出大缺货。据科技媒体报道，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增助推下，近期...

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□ 本报记者 肖芳“2017年以来，我们每年销售额、利润涨幅都超过100%。眼下订单排产已经到了2021年七八月份。”说这话的，是国家高新技术企业青岛佳恩半导体有限公司董事长王丕龙。其公司的主打产品，是IGBT芯片。IG...

IGBT器件是能源转换和传输核心，自20 世纪80 年代末开始工业化使用后，广泛应用于高压、大电流、高速等大功率使用场景，并且在消费类电子应用中渐渐兼并BJT、MOSFET使用场景，成为电力电子领域开关器件的主流发展方向...

近年来，以SiC（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。SiC和Si来竞争制造功率半导体无论是在科学和实践上都得到了实力上的体现，尤其是随着...

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IGBT，电力电子的CPU！小小功率半导体器件，却在很多电力电子相关的领域发挥着巨大的作用。近年来，IGBT发展迅猛，英飞凌以及日本厂商不断针对各类应用推出IGBT新品，国内厂商也不甘落后，比如比亚迪，华为等也都加入了I...

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在介绍IGBT之前，总有几个参数需要了解一下。第一个是击穿电压，就是管子在截止状态下集电极与发射极之间的最大电压UCEX。再一个是饱和电压UCES，就是导通状态下集电极与发射极之间的电压。还有一个比较重要，是栅极电压UG...

目录：1.IGBT是什么？2.IGBT的工作原理3.IGBT的优缺点4.IGBT的主要参数5.IGBT的静态特性曲线6.IGBT的选型7.IGBT的应用1.IGBT是什么？IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极...