（报告出品方/作者：安信证券 马良）1. 碳化硅性能突出，是宽禁带半导体核心材料 1.1. 碳化硅基本情况 半导体是电子产品的核心、现代工业的“粮食”。半导体是指常温下导电能力介于导体与绝缘体之间的电子材料，其电阻率约在1mΩ〃cm~1GΩ〃cm。半导体物理特性使得其主要用于制造集成电路、光电子器件...

数据是个宝数据宝炒股少烦恼据专家预测，氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一。氧化镓领域研究取得重要进展据科技，日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEE IEDM）上，我国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究**（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓...

**期间，集成电路产业再次成为焦点话题，其中车规级芯片发展备受各方热议。汽车是国民经济支柱型产业，集成电路则是支撑经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业，近年随着新能源汽车与智能汽车市场迅速发展，汽车芯片需求大增，然而半导体产业供应持续紧张，车规级芯片未来何去何从？“缺芯”，车企很“受伤”车规级芯...

经济观察网 记者 李靖恒 作为新能源汽车、光伏等产品的关键部件，近年来功率半导体的重要性在明显提高。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换。大部分情况下，电能往往无法直接使用，需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。目前，国内生产功...

中商情报网讯：随着新能源汽车赛道爆发，碳化硅市场进入蓬勃发展阶段。碳化硅作为目前半导体产业最热门的赛道之一，吸引了众多半导体大厂以及初创新锐力量参与其中。我国当下的智能汽车变革浪潮，为碳化硅模块的发展带来了新的机遇和新的挑战。一、碳化硅定义及产业链碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石...

基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结构和工艺优化和更新，正在逐渐接近硅材料的极限，Si 基器件在 600V 以上高电压以及高功率场合达到其性能的极限。为了提升在高压／高功率下器件的性能，第三代半导体材料 SiC（宽禁带）应运而生。碳化硅作为目前半导体产业最热门的赛道之一，吸引了众多半导体大...

（报告出品方/作者：华泰证券，黄乐平）1 碳化硅为第三代半导体材料，引领功率及射频领域革新碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和 漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表，相较于硅材料等前两代...

硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。然而受材料本身特性的**，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同...

（报告出品方/作者：德邦证券，陈海进）1.SiC产业链逐步成熟1.1.SiC具有优秀材料特性，适用于高压、高频场景SiC 具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化 合物半导体材料，并和氮化镓（GaN）都具有宽禁带的特性，被称为第三代半导 体材料。由于 SiC 具有宽禁带宽度...