（报告出品方/分析师：海通证券研究所 余伟民）碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还...

#头条创作挑战赛##第三代半导体#​#十四五规划和2035远景目标建议##IGBT#​#这就是我国的大国重器#​#SiC#​ IGBT叫绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOS（MOSFET）管和电力晶体管（GT...

（报告出品方/作者：民生证券，方竞）1 碳化硅：第三代半导体突破性材料1.1 优质的新型半导体衬底材料半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料，其 特点为开关便捷，一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体， 主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、...

都说买股票买的是预期，其实通常买的是故事。老话说，Buy the rumor, sell the news。也就是，有故事的时候买，消息落地(故事结局)赶紧卖掉。注意，上述谚语中即使故事成真，如果没有新的故事了，股票也不再涨了。和量子计算很像，碳化硅(SiC)的故事也很漂亮：有深度有门槛有前景有震撼...

来源：【黑龙江】记者从哈尔滨市科技局获悉，在18日召开的第二届国际第三代半导体产业发展与前景峰会上，哈尔滨公开发布《哈尔滨第三代半导体产业发展蓝皮书》。这既是一本产业研究报告，也是一本投资机会清单，第三代半导体领域企业可在其中寻到科技支撑和产业商机。《蓝皮书》中清晰阐释哈尔滨发力第三代半导体的五...

第三代半导体这里的半导体主要指的是半导体材料，顾名思义就是由第一代、第二代过渡过来的，主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料，主要应用在电力电子器件、激光器和探测器、半导体照明、功率器及射频器件等行业。据说我国已经把第三代半导体产...

总结我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化，4英寸已经实现样品生产。GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化，8英寸正在进行产品研发。 GaN材料应用范围仍LED向射频、功率器件不断扩展。射频器件方面， GaN受到5G推动。GaN射频器件衬底...

在光谷未来科技城，一家从华中科技大学实验室走出的公司冲进了第三代功率半导体前沿赛道，部分性能已达到全球顶尖水平。这家公司名叫武汉羿变电气有限公司，副总经理刘新民介绍，公司2020年10月成立，产品及服务主要包括碳化硅功率模块、电力电子积木和集成化功率变换器，可为航空、航天、船舶和新能源汽车用户提供优...

第三代半导体是以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料，它们具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等特点，在提高能效、**小型化、提高耐压等方**有优势，是助力节能减排并实现“碳中和”目标的重要发展方向。国内在发展第三代半导体上的热潮高涨，目前来看，从IDM、Fabless/材料、代工厂、设备、封测等...

一、国家第三代半导体技术创新中心揭牌该中心重点聚焦第三代半导体装备领域，发挥湖南在第三代半导体材料、器件、应用等方面的基础优势，联合产学研用各方资源，汇聚国内外一流人才，突破关键核心技术，按照重点突破、局部成套、**集成的发展路径，将湖南打造成为国家第三代半导体技术创新高地和产业发展高地。二、天风证...